型号:  BDP954H6327XTSA1

功能描述:  Infineon BDP954H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:15, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：  100V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  500mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  85 @ 500mA，1V

功率 - 最大值：  5W

频率 - 跃迁：  100MHz

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT223

供应商器件封装：  PG-SOT223-4

最大直流集电极电流：  3 A

最大集电极-发射极电压：  100 V

封装类型：  SOT-223

最大功率耗散：  5 W

最小直流电流增益：  15

晶体管配置：  单

最大集电极-基极电压：  120 V

最大发射极-基极电压：  5 V

最大工作频率：  100 MHz

引脚数目：  3 + Tab

每片芯片元件数目：  1

最大基极-发射极饱和电压：  1.3 V

最高工作温度：  +150 °C

高度：  1.6mm

尺寸：  6.5 x 3.5 x 1.6mm

最大集电极-发射极饱和电压：  0.5 V

宽度：  3.5mm

长度：  6.5mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs