型号: BDV64BG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP - 达林顿
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 2V @ 20mA，5A
电流-集电极截止（最大值）： 1mA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 1000 @ 5A，4V
功率-最大值： 125W
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： TO-247
极性Polarity： PNP
集电极最大允许电流Ic： 10A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 100V
最小工作温度： - 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min： 1000
配置： Single
集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V
安装风格： Through Hole
封装/外壳： Tube
封装/外壳： TO-247
晶体管极性： PNP
最大工作温度： + 150 C
最大直流电集电极电流： 10 A
最大集电极截止电流： 400 uA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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