型号: BDX33BG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： NPN - 达林顿
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 2.5V @ 6mA，3A
电流-集电极截止（最大值）： 500µA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 750 @ 3A，3V
功率-最大值： 70W
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
封装形式Package： TO-220AB
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 10A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 80V
最小工作温度： - 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min： 750
配置： Single
集电极—发射极最大电压 VCEO： 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V
安装风格： Through Hole
封装/外壳： Tube
晶体管极性： NPN
最大工作温度： + 150 C
最大直流电集电极电流： 10 A
最大集电极截止电流： 1000 uA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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