型号: BDX33BG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: NPN - 达林顿
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值): 2.5V @ 6mA,3A
电流-集电极截止(最大值): 500µA
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 750 @ 3A,3V
功率-最大值: 70W
工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
封装形式Package: TO-220AB
极性Polarity: NPN
集电极最大允许电流Ic: 10A
集电极_发射极击穿电压VCEO: 80V
最小工作温度: - 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min: 750
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
安装风格: Through Hole
封装/外壳: Tube
晶体管极性: NPN
最大工作温度: + 150 C
最大直流电集电极电流: 10 A
最大集电极截止电流: 1000 uA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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