型号: BDX53CG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： NPN - 达林顿
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 2V @ 12mA，3A
电流-集电极截止（最大值）： 500µA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 750 @ 3A，3V
功率-最大值： 65W
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
封装形式Package： TO-220AB
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 8A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 100V
最大集电极截止电流： 500 uA
最小工作温度： - 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min： 750
配置： Single
集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V
集电极连续电流： 4 A
功率耗散： 40 W
发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V
安装风格： Through Hole
封装/外壳： Tube
晶体管极性： NPN
最大工作温度： + 150 C
最大直流电集电极电流： 8 A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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