型号:  BF 2040 E6814

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  40 mA

Vds-漏源极击穿电压:  8 V

增益:  23 dB

输出功率:  200 mW

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-143

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single Dual Gate

高度:  1 mm

长度:  2.9 mm

系列:  BF2040

类型:  RF Small Signal MOSFET

宽度:  1.3 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  37 mS

通道模式:  Depletion

Pd-功率耗散:  200 mW

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  7 V

零件号别名:  BF2040E6814HTSA1 BF24E6814XT SP000012215