型号: BF 5030W H6327
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： PG-SOT343-4
RoHS： Y
晶体管极性： N-Channel
Id-连续漏极电流： 25mA
Vds-漏源极击穿电压： 12V
技术： Si
增益： 24dB
最大工作温度： +150C
安装风格： SMD/SMT
封装： CutTape
配置： Single
工作频率： 800MHz
系列： BF5030
类型： RFSmallSignalMOSFET
MXHTS： 85412999
Pd-功率耗散： 200mW
Vgs - 栅极-源极电压： 6V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
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联系人：杨丹妮
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联系人：刘先生,李小姐
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