型号:  BF 999 E6327

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  30 A

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single

高度:  1 mm

长度:  2.9 mm

系列:  BF999

类型:  RF Small Signal MOSFET

宽度:  1.3 mm

商标:  Infineon Technologies

Pd-功率耗散:  200 mW

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  6.5 V

零件号别名:  BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985

单位重量:  8 mg