型号: BF1009S
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 25 mA
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 3 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143-4
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 0.03 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
类型: RF Small Signal MOSFET
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：傅小姐
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Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
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联系人：陈泽辉
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Q Q:
联系人：小柯
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Q Q:
联系人：朱先生
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Q Q:
联系人：陈玉
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Q Q:
联系人：向冰
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Q Q:
