型号:  BF1105R,215

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab)

制造商:  NXP Semiconductors

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  Dual N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  30 mA

Vds-漏源极击穿电压:  7 V, 7 V

Rds On-漏源导通电阻:  -

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-143R-4

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single Dual Gate

高度:  1 mm

长度:  3 mm

类型:  RF Small Signal MOSFET

宽度:  1.4 mm

商标:  NXP Semiconductors

通道模式:  Enhancement

Pd-功率耗散:  200 mW

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  7 V, 7 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  0.8 V

零件号别名:  934050330215

单位重量:  9.100 mg