型号: BF1108R
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 10 mA
Vds-漏源极击穿电压: 3 V
Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 7 V
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143R
商标: NXP Semiconductors
类型: RF Small Signal MOSFET
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