型号: BF1108R
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 10 mA
Vds-漏源极击穿电压: 3 V
Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 7 V
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143R
商标: NXP Semiconductors
类型: RF Small Signal MOSFET
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13243798449
Q Q:
联系人：肖
电话：13670052109
Q Q:
联系人：唐先生
电话：18126336207
Q Q:
