型号:  BF1201.215

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  N-Channel Dual Gate

频率 ：  400MHz

增益 ：  29dB

电压 - 测试：  5V

额定电流 ：  30mA

噪声系数 ：  1dB

电流 - 测试：  15mA

Power - 输出功率 ：  -

电压 - 额定：  10V

包/盒 ：  TO-253-4, TO-253AA

供应商器件封装：  SOT-143B

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  10 V

最大连续漏极电流：  0.03 A

最大门源电压：  6 V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

供应商封装形式：  SOT-143B

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标签：  Tab

最低工作温度：  -65

包装高度：  1(Max)

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

典型功率增益：  33.5

最大漏源电压：  10

每个芯片的元件数：  1

包装宽度：  1.4(Max)

典型输入电容@ VDS：  2.6@5V@Gate 1|1.1@5V@Gate 2

PCB：  3

包装长度：  3(Max)

最大功率耗散：  200

最大连续漏极电流：  0.03

引脚数：  4

铅形状：  Gull-wing

晶体管类型：  N-Channel Dual Gate

电压 - 额定：  10V

噪声系数：  1dB

供应商设备封装：  SOT-143B

电压 - 测试：  5V

频率：  400MHz

增益：  29dB

封装/外壳：  TO-253-4, TO-253AA

电流 - 测试：  15mA

额定电流：  30mA

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-6151-6

工厂包装数量：  3000

晶体管极性：  Dual N-Channel

连续漏极电流：  30 mA

安装风格：  SMD/SMT

功率耗散：  200 mW

配置：  Dual

漏源击穿电压：  10 V

RoHS：  RoHS Compliant