型号: BF1206F,115
功能描述: Transistors RF MOSFET Small Signal Dual N-Channel 6V 30mA 180mW
制造商: NXP Semiconductors
供应商封装形式： SOT-666
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
通道模式： Enhancement
最低工作温度： -65
包装高度： 0.6(Max)
安装： Surface Mount
渠道类型： N
封装： Tape and Reel
典型功率增益： 31@Amp A|32@Amp B
最大漏源电压： 6
每个芯片的元件数： 2
包装宽度： 1.3(Max)
典型输入电容@ VDS： 2.4@2.8V@Gate 1|3.2@2.8V@Gate 2@A...
PCB： 6
包装长度： 1.7(Max)
最大功率耗散： 180
最大连续漏极电流： 0.03
引脚数： 6
铅形状： Flat
工厂包装数量： 4000
晶体管极性： Dual N-Channel
连续漏极电流： 30 mA
安装风格： SMD/SMT
功率耗散： 180 mW
封装/外壳： SOT-666
配置： Dual
漏源击穿电压： 6 V
RoHS： RoHS Compliant
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