型号: BF1206F,115
功能描述: Transistors RF MOSFET Small Signal Dual N-Channel 6V 30mA 180mW
制造商: NXP Semiconductors
供应商封装形式： SOT-666
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
通道模式： Enhancement
最低工作温度： -65
包装高度： 0.6(Max)
安装： Surface Mount
渠道类型： N
封装： Tape and Reel
典型功率增益： 31@Amp A|32@Amp B
最大漏源电压： 6
每个芯片的元件数： 2
包装宽度： 1.3(Max)
典型输入电容@ VDS： 2.4@2.8V@Gate 1|3.2@2.8V@Gate 2@A...
PCB： 6
包装长度： 1.7(Max)
最大功率耗散： 180
最大连续漏极电流： 0.03
引脚数： 6
铅形状： Flat
工厂包装数量： 4000
晶体管极性： Dual N-Channel
连续漏极电流： 30 mA
安装风格： SMD/SMT
功率耗散： 180 mW
封装/外壳： SOT-666
配置： Dual
漏源击穿电压： 6 V
RoHS： RoHS Compliant
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：余亮
电话：15817462164
Q Q:
联系人：郭智贤
电话：13590256842
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13691930083
Q Q:
联系人：东柏森电子
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13421848389
Q Q:
