型号: BF5020WE6327
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Ch MOSFET Tetrode
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 0.025 A
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 6 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
工厂包装数量: 3000
类型: RF Small Signal MOSFET
零件号别名: BF5020WE6327XT
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