型号: BF5030WH6327XTSA1
功能描述: Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BF5030WH6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 4引脚 SOT-343封装
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型： N 通道
频率： 800MHz
增益： 24dB
电压 - 测试： 3V
额定电流： 25mA
噪声系数： 1.3dB
电流 - 测试： 10mA
电压： 8V
封装/外壳： SOT343
供应商器件封装： SOT-343
通道类型： N
最大连续漏极电流： 25 mA
最大漏源电压： 8 V
最大栅源电压： -6 V、+6 V
封装类型： SOT-343
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 4
通道模式： 消耗
类别： MOSFET Tetrode
最大功率耗散： 200 mW
典型功率增益： 34 dB
典型输入电容值@Vds： 2.8 pF @ 5 V
晶体管材料： Si
每片芯片元件数目： 1
宽度： 1.25mm
长度： 2mm
高度： 0.9mm
正向跨导： 0.041S
尺寸： 2 x 1.25 x 0.9mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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