型号:  BF623.115

功能描述:   Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

晶体管类型：  PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  50mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  250V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  800mV @ 5mA, 30mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  50 @ 25mA, 20V

功率 - 最大：  1.1W

频率转换：  60MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-243AA

供应商器件封装：  SOT-89-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-89

类型：  PNP

引脚数：  4

最大集电极发射极电压：  250 V

集电极最大直流电流：  0.05 A

最小直流电流增益：  50@25mA@20V

最大工作频率：  60(Min) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.8@5mA@30mA V

工作温度：  -65 to 150 °C

最大功率耗散：  1100 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  0.05

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  SOT-89

最低工作温度：  -65

最大功率耗散：  1100

最大基地发射极电压：  5

Maximum Transition Frequency ：  60(Min)

封装：  Tape and Reel

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  250

供应商封装形式：  SOT-89

最大集电极发射极电压：  250

铅形状：  Flat

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  50mA

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  60MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  800mV @ 5mA, 30mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  250V

供应商设备封装：  SOT-89-3

功率 - 最大：  1.1W

封装/外壳：  TO-243AA

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  50 @ 25mA, 20V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-6848-1

工厂包装数量：  1000

增益带宽产品fT：  60 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  50 at 25 mA at 20 V

直流电流增益hFE最大值：  50 at 25 mA at 20 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  250 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  250 V

最低工作温度：  - 65 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C