型号: BF799WE6327
功能描述: RF TRANSISTOR, NPN
制造商: Infineon Technologies
Series: -
Package: Bulk
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Frequency - Transition: 800MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
Gain: -
Power - Max: 280mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
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