型号: BF909R
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 20 mA
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
晶体管极性: Dual N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
安装风格: SMD/SMT
商标: NXP Semiconductors
Pd-功率耗散: 200 mW
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 1.2 V
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