型号: BF966SB
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-Ch Dual Gate MOSFET, TO-50
制造商: Vishay Semiconductors
制造商: Vishay
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 0.03 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 8 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-50
封装: Reel
商标: Vishay Semiconductors
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
类型: RF Small Signal MOSFET
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