型号: BF992,215
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 40 mA
Vds-漏源极击穿电压: 20 V, 20 V
Rds On-漏源导通电阻: -
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143B-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single Dual Gate
高度: 1 mm
长度: 3 mm
类型: RF Small Signal MOSFET
宽度: 1.4 mm
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Depletion
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, 20 V
零件号别名: 933615000215
单位重量: 9 mg
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