型号: BF998
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 30 mA
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 8 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 0.024 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 W
类型: RF Small Signal MOSFET
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：高
Q Q:
联系人：姚小姐
电话：17718930235
Q Q:
联系人：谢小姐，朱小姐，曾小姐
电话：15013741976
Q Q:
