型号: BF998R
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 30 mA
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 8 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143R
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 0.024 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 W
类型: RF Small Signal MOSFET
联系人：董先生
电话：18098996457
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联系人：陈玲玲
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联系人：张小姐
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联系人：余先生，张先生
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联系人：小陈
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联系人：郭泽欣
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