型号: BF999
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 30 mA
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 6.5 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 0.016 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
类型: RF Small Signal MOSFET
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