型号: BF999
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 30 mA
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 6.5 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 0.016 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
类型: RF Small Signal MOSFET
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：方保
电话：18025408873
Q Q:
联系人：黄先生
电话：83244846
Q Q:
联系人：高先生
Q Q:
