型号: BFG 19S E6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： RF 晶体管（BJT）
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 15V
频率 - 跃迁： 5.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益： 14dB ~ 8.5dB
功率 - 最大值： 1W
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 70 @ 70mA，8V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 210mA
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： PG-SOT223-4
其它名称： BFG19SE6327TBFG19SE6327XTSP000010992
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