型号: BFG135,115
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
晶体管类型： NPN
电压-集射极击穿（最大值）： 15V
频率-跃迁： 7GHz
功率-最大值： 1W
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 100mA，10V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 150mA
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-223
电压 - 集射极击穿（最大值）： 15V
频率 - 跃迁： 7GHz
功率 - 最大值： 1W
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 100mA，10V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150mA
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： SOT-223
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：曾舒媚
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
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联系人：林炜东，林俊源
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联系人：余先生，张先生
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Q Q:
