BFG21W,115规格参数_BFG21W,115全国代理商/分销商

型号: BFG21W,115
功能描述: BFG21W Series 15 V 600 mW NPN double polysilicon UHF power transistor - SOT-343R
制造商: NXP Semiconductors
晶体管类型： NPN
电压-集射极击穿（最大值）： 4.5V
频率-跃迁： 18GHz
功率-最大值： 600mW
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 40 @ 200mA，2V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 500mA
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： CMPAK-4
电压 - 集射极击穿（最大值）： 4.5V
频率 - 跃迁： 18GHz
功率 - 最大值： 600mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 40 @ 200mA，2V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
封装/外壳： SC-82A，SOT-343
供应商器件封装： CMPAK-4
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs