型号:  BFG35,115

功能描述:  射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ

制造商:  NXP Semiconductors

制造商:  NXP

产品种类:  射频(RF)双极晶体管

RoHS:  是

晶体管类型:  Bipolar

技术:  Si

晶体管极性:  NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:  18 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  2 V

集电极连续电流:  0.15 A

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Single

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

集电极—基极电压 VCBO:  25 V

直流电流增益 hFE 最大值:  25

高度:  1.7 mm

长度:  6.7 mm

工作频率:  4000 MHz

类型:  RF Bipolar Small Signal

宽度:  3.7 mm

商标:  NXP Semiconductors

增益带宽产品fT:  4000 MHz

最大直流电集电极电流:  0.15 A

Pd-功率耗散:  1000 mW

产品类型:  RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  Transistors

零件号别名:  933919910115

单位重量:  100 mg