型号:  BFG425W.115

功能描述:   Trans GP BJT NPN 4.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1

晶体管类型：  NPN

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  4.5V

频率转换：  25GHz

噪声系数（dB的典型@ F）：  0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益 ：  20dB

功率 - 最大：  135mW

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  50 @ 25mA, 2V

- 集电极电流（Ic）（最大）：  30mA

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SC-82A, SOT-343

供应商器件封装：  CMPAK-4

包装材料 ：  

引脚数：  4

标准包装：  Tape & Reel

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  30mA

噪声系数（dB典型值@频率）：  0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  25GHz

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  4.5V

供应商设备封装：  CMPAK-4

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  135mW

增益：  20dB

封装/外壳：  SC-82A, SOT-343

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  50 @ 25mA, 2V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-1644-1

类别：  Bipolar RF

配置：  Single Dual Emitter

外形尺寸：  1 x 2.2 x 1.35mm

身高：  1mm

长度：  2.2mm

最大集电极基极电压：  10 V

最大集电极发射极电压：  4.5 V

集电极最大直流电流：  0.03 A

最大基地发射极电压：  1 V

最大工作频率：  25000 MHz

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  0.135 W

最小直流电流增益：  50 V

最低工作温度：  -65 °C

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  CMPAK

宽度：  1.35mm

工厂包装数量：  3000

产品种类：  Transistors RF Bipolar

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  1 V

类型：  RF Bipolar Small Signal

安装风格：  SMD/SMT

功率耗散：  135 mW

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  4.5 V

零件号别名：  BFG425W T/R

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  0.03 A

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :4.5V

Transition Frequency ft：  :25GHz

功耗：  :135mW

DC Collector Current：  :25mA

DC Current Gain hFE：  :80

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-343R

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Ic Continuous a Max：  :25mA

Gain Bandwidth ft Typ：  :25GHz

Hfe Min：  :50

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

端接类型：  :SMD