型号: BFG591,115
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
晶体管类型: NPN
电压-集射极击穿(最大值): 15V
频率-跃迁: 7GHz
功率-最大值: 2W
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 60 @ 70mA,8V
电流-集电极(Ic)(最大值): 200mA
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-223
电压 - 集射极击穿(最大值): 15V
频率 - 跃迁: 7GHz
功率 - 最大值: 2W
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 60 @ 70mA,8V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 200mA
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
联系人:李先生
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