型号: BFG591,115
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
晶体管类型： NPN
电压-集射极击穿（最大值）： 15V
频率-跃迁： 7GHz
功率-最大值： 2W
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 60 @ 70mA，8V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 200mA
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-223
电压 - 集射极击穿（最大值）： 15V
频率 - 跃迁： 7GHz
功率 - 最大值： 2W
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 60 @ 70mA，8V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 200mA
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： SOT-223
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：曾舒媚
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