型号: BFP 196 E6327
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: BFP196
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V
集电极连续电流: 0.1 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
直流电流增益 hFE 最大值: 70 at 50 mA at 8 V
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
工作频率: 7.5 GHz
类型: RF Bipolar Small Signal
宽度: 1.3 mm
商标: Infineon Technologies
增益带宽产品fT: 7500 MHz
最大直流电集电极电流: 0.1 A
Pd-功率耗散: 700 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327XT SP000011027
单位重量: 10 mg
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