型号: BFP 842ESD H6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BFP842ESD
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： RF 晶体管（BJT）
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 3.7V
频率 - 跃迁： 60GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 0.65dB @ 3.5GHz
增益： 26dB
功率 - 最大值： 120mW
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 150 @ 15mA，2.5V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 40mA
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-82A，SOT-343
供应商器件封装： SOT-343
其它名称： BFP 842ESD H6327TRBFP842ESDH6327BFP842ESDH6327XTSA1SP000943012
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