型号: BFP 842ESD H6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表: BFP842ESD
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: RF 晶体管(BJT)
系列: -
包装: 带卷(TR)
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 3.7V
频率 - 跃迁: 60GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 0.65dB @ 3.5GHz
增益: 26dB
功率 - 最大值: 120mW
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 150 @ 15mA,2.5V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 40mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-82A,SOT-343
供应商器件封装: SOT-343
其它名称: BFP 842ESD H6327TRBFP842ESDH6327BFP842ESDH6327XTSA1SP000943012
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