型号: BFP182WE6327
功能描述: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
制造商: Infineon Technologies
Series: -
Package: Bulk
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：谢先生
电话：19372055817
Q Q:
联系人：朱少聪
Q Q:
联系人：江先生
电话：18988752008
Q Q:
