型号: BFP196WNH6327XTSA1
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: Bipolar Wideband
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 70
集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V
集电极连续电流: 150 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343-4
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 7.5 GHz
输出功率: -
商标: Infineon Technologies
最大直流电集电极电流: 150 mA
Pd-功率耗散: 700 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: 196 BFP H6327 SP001643166 WN
单位重量: 6.740 mg
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