型号:  BFP540ESDH6327XTSA1

功能描述:  Infineon BFP540ESDH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=10 V, HFE:50, 30 GHz, 4引脚 SOT-343封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：  5V

频率 - 跃迁：  30GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：  0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

增益：  21.5dB

功率 - 最大值：  250mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  50 @ 20mA，3.5V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  80mA

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT343

供应商器件封装：  PG-SOT343-4

最大直流集电极电流：  80 mA

最大集电极-发射极电压：  10 V

封装类型：  SOT-343

最大功率耗散：  250 mW

最小直流电流增益：  50

晶体管配置：  单

最大发射极-基极电压：  1 V

最大工作频率：  30 GHz

引脚数目：  4

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  2 x 1.25 x 0.8mm

高度：  0.8mm

最低工作温度：  -65 °C

宽度：  1.25mm

最高工作温度：  +150 °C

长度：  2mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs