型号:  BFP620FH7764XTSA1

功能描述:  Infineon BFP620FH7764XTSA1 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=7.5 V, HFE:110, 4引脚 TSFP封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：  2.8V

频率 - 跃迁：  65GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：  0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益：  21dB ~ 10dB

功率 - 最大值：  185mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  110 @ 50mA，1.5V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  80mA

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TSFP-4-1

供应商器件封装：  4-TSFP

最大直流集电极电流：  80 mA

最大集电极-发射极电压：  7.5 V

封装类型：  TSFP

最大功率耗散：  185 mW

最小直流电流增益：  110

晶体管配置：  单

最大发射极-基极电压：  1.2 V

引脚数目：  4

每片芯片元件数目：  1

高度：  0.55mm

宽度：  0.8mm

最高工作温度：  +150 °C

晶体管材料：  SiGe

尺寸：  1.4 x 0.8 x 0.55mm

长度：  1.4mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs