型号: BFP640H6327
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 110
集电极—发射极最大电压 VCEO: 4 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1.2 V
集电极连续电流: 50 mA
最大工作温度: + 150 C
配置: Single Dual Emitter
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343
封装: Reel
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 40 GHz
Pd-功率耗散: 200 mW
系列: BFP640
工厂包装数量: 3000
零件号别名: BFP640H6327XT BFP640H6327XTSA1 SP000745306
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