型号:  BFP650H6327XTSA1

功能描述:  Infineon BFP650H6327XTSA1 , NPN 晶体管, 150 mA, Vce=13 V, HFE:100, 4引脚 SOT-343封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：  4.5V

频率 - 跃迁：  37GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：  0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益：  10.5dB ~ 21.5dB

功率 - 最大值：  500mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  110 @ 80mA，3V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  150mA

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT343

供应商器件封装：  PG-SOT343-4

最大直流集电极电流：  150 mA

最大集电极-发射极电压：  13 V

封装类型：  SOT-343

最大功率耗散：  500 mW

最小直流电流增益：  100

晶体管配置：  单

最大发射极-基极电压：  1.2 V

引脚数目：  4

每片芯片元件数目：  1

高度：  0.9mm

宽度：  1.25mm

最高工作温度：  +150 °C

晶体管材料：  SiGe

尺寸：  2 x 1.25 x 0.9mm

长度：  2mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs