型号:  BFP740ESDH6327XTSA1

功能描述:  Infineon BFP740ESDH6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 45 mA, Vce=4.9 V, HFE:160, 45 GHz, 4引脚 SOT-343封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：  4.7V

频率 - 跃迁：  45GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：  0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益：  8.5dB ~30.5dB

功率 - 最大值：  160mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  160 @ 25mA，3V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  45mA

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT343-4-2

供应商器件封装：  SOT-343

最大直流集电极电流：  45 mA

最大集电极-发射极电压：  4.9 V

封装类型：  SOT-343

最大功率耗散：  160 mW

最小直流电流增益：  160

晶体管配置：  单

最大集电极-基极电压：  3 V

最大发射极-基极电压：  0.5 V

最大工作频率：  45 GHz

引脚数目：  4

每片芯片元件数目：  1

最高工作温度：  +150 °C

长度：  2mm

宽度：  1.25mm

尺寸：  2 x 1.25 x 0.9mm

高度：  0.9mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs