型号: BFP740FH6327XTSA1
功能描述: Infineon BFP740FH6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 30 mA, Vce=4 V, HFE:160, 42 GHz, 4引脚 TSFP封装
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 4.7V
频率 - 跃迁: 42GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益: 27.5dB
功率 - 最大值: 160mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 160 @ 25mA,3V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 30mA
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TSFP-4-1
供应商器件封装: 4-TSFP
最大直流集电极电流: 30 mA
最大集电极-发射极电压: 4 V
封装类型: TSFP
最大功率耗散: 160 mW
最小直流电流增益: 160
晶体管配置: 单
最大集电极-基极电压: 13 V
最大发射极-基极电压: 1.2 V
最大工作频率: 42 GHz
引脚数目: 4
每片芯片元件数目: 1
尺寸: 1.4 x 0.8 x 0.55mm
宽度: 0.8mm
高度: 0.55mm
最低工作温度: -65 °C
最高工作温度: +150 °C
长度: 1.4mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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