型号: BFP842ESDH6327XTSA1
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: BFP842
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO: 3.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4.1 V
集电极连续电流: 40 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
直流电流增益 hFE 最大值: 450
工作频率: 60 GHz
类型: RF Silicon Germanium
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 120 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: 842ESD BFP BFP842ESDH6327XT H6327 SP000943012
单位重量: 7 mg
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