型号: BFQ19SH6327XTSA1
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RF BIP TRANSISTORS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-4
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 3 V
增益带宽产品fT: 5.5 GHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
直流电流增益 hFE 最大值: 140
高度: 1.5 mm
长度: 4.5 mm
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
宽度: 2.5 mm
商标: Infineon Technologies
集电极连续电流: 120 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min: 70
Pd-功率耗散: 1 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
零件号别名: 19S BFQ H6327 SP001125294
单位重量: 130.500 mg
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