型号:  BFR 360F H6327

功能描述:  射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  射频(RF)双极晶体管

RoHS:  是

系列:  BFR360

晶体管类型:  Bipolar

技术:  Si

晶体管极性:  NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:  6 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  2 V

集电极连续电流:  35 mA

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Single

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSFP-3

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

直流电流增益 hFE 最大值:  160

工作频率:  3.5 GHz

类型:  RF Bipolar Small Signal

商标:  Infineon Technologies

增益带宽产品fT:  14 GHz

Pd-功率耗散:  210 mW

产品类型:  RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  BFR360FH6327XTSA1 BFR36FH6327XT SP000750428