型号:  BFR 750L3RH E6327

功能描述:   Transistors RF Silicon Germanium NPN Silicn Germanium RF Transistor

制造商:  Infineon Technologies

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  15,000

晶体管类型：  NPN

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  4.7V

频率转换：  37GHz

噪声系数（dB的典型@ F）：  0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益 ：  21dB

功率 - 最大：  360mW

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  160 @ 60mA, 3V

- 集电极电流（Ic）（最大）：  90mA

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SC-101, SOT-883

供应商器件封装：  PG-TSLP-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  90mA

噪声系数（dB典型值@频率）：  0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  37GHz

标准包装：  15,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  4.7V

供应商设备封装：  PG-TSLP-3

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  360mW

增益：  21dB

封装/外壳：  SC-101, SOT-883

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  160 @ 60mA, 3V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  BFR750L3RHE6327INDKR

工厂包装数量：  15000

产品种类：  Transistors RF Bipolar

系列：  BFR750L3

零件号别名：  BFR750L3RHE6327XTSA1 SP000252588

类型：  RF Silicon Germanium

RoHS：  RoHS Compliant

kits：  KIT RF TRANS. 1