型号:  BFR182WH6327XTSA1

功能描述:  Infineon BFR182WH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 35 mA, Vce=12 V, HFE:70, 3引脚 SOT-23封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：  12V

频率 - 跃迁：  8GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：  0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益：  19dB

功率 - 最大值：  250mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  70 @ 10mA，8V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  35mA

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT323

供应商器件封装：  PG-SOT323-3

最大直流集电极电流：  35 mA

最大集电极-发射极电压：  12 V

封装类型：  SOT-23

最大功率耗散：  250 mW

最小直流电流增益：  70

晶体管配置：  单

最大集电极-基极电压：  20 V

最大发射极-基极电压：  2 V

引脚数目：  3

每片芯片元件数目：  1

最低工作温度：  -65 °C

高度：  0.9mm

宽度：  1.3mm

最高工作温度：  +150 °C

晶体管材料：  Si

尺寸：  2.9 x 1.3 x 0.9mm

长度：  2.9mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs