型号: BFR193E6327HTSA1
功能描述: BFR193 Series 12 V 80 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-23-3
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 12V
频率 - 跃迁： 8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益： 10dB ~ 15dB
功率 - 最大值： 580mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 70 @ 30mA，8V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 80mA
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT23
供应商器件封装： PG-SOT23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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