型号:  BFR193WH6327XTSA1

功能描述:  Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：  12V

频率 - 跃迁：  8GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：  1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益：  10.5dB ~ 16dB

功率 - 最大值：  580mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  70 @ 30mA，8V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  80mA

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT323

供应商器件封装：  PG-SOT323-3

最大直流集电极电流：  80 mA

最大集电极-发射极电压：  12 V

封装类型：  SOT-323 (SC-70)

最大功率耗散：  580 mW

最小直流电流增益：  70

晶体管配置：  单

最大集电极-基极电压：  20 V

最大发射极-基极电压：  2 V

最大工作频率：  8 GHz

引脚数目：  3

每片芯片元件数目：  1

最高工作温度：  +150 °C

长度：  2mm

宽度：  1.25mm

尺寸：  2 x 1.25 x 0.8mm

高度：  0.8mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs