型号:  BFR31,215

功能描述:  N-Channel 25 V 250 mW Surface Mount Field-Effect Transistor - SOT-23

制造商:  NXP Semiconductors

FET类型：  N 沟道

DraintoSourceVoltage(Vdss)：  25V

不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：  1mA @ 10V

漏极电流（Id）-最大值：  10mA

不同Id时的电压-截止（VGS关）：  2.5V @ 0.5nA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4pF @ 10V

功率-最大值：  250mW

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-23（TO-236AB）

FET 类型：  N 沟道

漏源电压（Vdss）：  25V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：  1mA @ 10V

漏极电流（Id） - 最大值：  10mA

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：  2.5V @ .5nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4pF @ 10V

功率 - 最大值：  250mW

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：  SOT-23（TO-236AB）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs