型号: BFR35AP
功能描述: 射频(RF)双极晶体管
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 70
集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2.5 V
集电极连续电流: 30 mA
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Infineon Technologies
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 5000 MHz
Pd-功率耗散: 280 mW
联系人：韩雪
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联系人：董先生
电话：18098996457
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