型号: BFR35AP
功能描述: 射频(RF)双极晶体管
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 70
集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2.5 V
集电极连续电流: 30 mA
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Infineon Technologies
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 5000 MHz
Pd-功率耗散: 280 mW
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈之平
电话：88600487
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13724201920
Q Q:
联系人：张旭
电话：15013458493
Q Q:
