型号: BFR840L3RHESDE6327XTSA1
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: BFR840L3
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO: 2.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2.9 V
集电极连续电流: 35 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSLP-3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 75 GHz
类型: RF Silicon Germanium
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 75 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 15000
子类别: Transistors
零件号别名: 840L3RHESD BFR BFR84L3RHESDE6327XT E6327 SP000978848
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