型号: BFR949L3E6327
功能描述: RF BIPOLAR TRANSISTOR
制造商: Infineon Technologies
Series: -
Package: Bulk
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
Gain: 21.5dB
Power - Max: 250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
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