型号:  BFT25A.215

功能描述:   Trans GP BJT NPN 5V 0.0065A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  NPN

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  5V

频率转换：  5GHz

噪声系数（dB的典型@ F）：  1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

增益 ：  -

功率 - 最大：  32mW

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  50 @ 500µA, 1V

- 集电极电流（Ic）（最大）：  6.5mA

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3TO-236AB

类型：  NPN

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  5 V

集电极最大直流电流：  0.0065 A

最小直流电流增益：  50@0.5mA@1V

最大工作频率：  5000(Typ) MHz

最大集电极基极电压：  8 V

工作温度：  -65 to 175 °C

最大功率耗散：  32 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  0.0065

最低工作温度：  -65

Maximum Transition Frequency ：  5000(Typ)

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  32

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  8

最大集电极发射极电压：  5

供应商封装形式：  TO-236AB

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  175

包装长度：  3(Max)

包装高度：  1(Max)

最大基地发射极电压：  2

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  6.5mA

噪声系数（dB典型值@频率）：  1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  5GHz

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  5V

供应商设备封装：  SOT-23-3

功率 - 最大：  32mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  50 @ 500µA, 1V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-1992-1

工厂包装数量：  3000

产品种类：  Transistors RF Bipolar

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  2 V

直流集电极/增益hfe最小值：  50

安装风格：  SMD/SMT

功率耗散：  32 mW

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  5 V

最低工作温度：  - 65 C

零件号别名：  BFT25A T/R

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  6.5 mA

集电极电流（ DC）（最大值）：  0.0065 A

集电极 - 基极电压：  8 V

集电极 - 发射极电压：  5 V

发射极 - 基极电压：  2 V

频率（最大）：  5000 MHz

工作温度范围：  -65C to 175C

包装类型：  TO-236AB

元件数：  1

直流电流增益（最小值）：  50

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

频率：  5000 MHz

集电极电流（DC ）：  0.0065 A

直流电流增益：  50

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :5V

Transition Frequency ft：  :5GHz

功耗：  :32mW

DC Collector Current：  :6.5mA

DC Current Gain hFE：  :80

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C